2,5 Гбит/с Φ55 мкм OTDR APD чип

Чип лавинного фотодиода (чип APD) — это тип активного устройства, которое обеспечивает встроенное усиление и усиливает фототок. Этот продукт имеет анод сверху и катод сзади, с верхней освещенной активной областью размером Φ55 мкм для легкой оптической сборки; высокая чувствительность, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный чип APD 2,5 Гбит/с и объединенный TIA TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, приложения, которые обеспечивают передачу данных для современного оптоволокна до дома (FTTH).

Функции

1. Активная область Φ55мкм.
2. Анод сверху, катод сзади.
3. Низкий темновой ток.
4. Отличная чувствительность и высокий коэффициент усиления.
5. Коэффициент отражения <1,5% при 1550 нм ± 50 нм, <6% при 1250 нм～1700 нм.
6. Скорость передачи данных до 2,5 Гбит/с.
7. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% испытания и проверки.
9. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU).

Приложения

1. Приемник OLT GPON/EPON 2,5 Гбит/с.
2. Оптический рефлектометр временного диапазона (OTDR)