25 Гбит/с Φ20 мкм PIN PD чип с верхней подсветкой

Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 10 Гбит/с имеет структуру InGaAs/InP PIN и верхнюю подсветку. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ50 мкм, анодная и катодная контактная площадка сверху для проводного соединения пакета TO-CAN. Применение в приемнике 10 Гбит/с.

Функции

1. Активная область Φ20мкм.
2. Структура контактной площадки «земля-сигнал-земля» (GSG) сверху.
3. Низкий темновой ток, низкая емкость, высокая ответственность.
4. Скорость передачи данных до 25 Гбит/с.
5. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% испытания и проверки.
7. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU).

Приложения

1. 100-гигабитный Ethernet
2. Аналоговые каналы связи 20 ГГц.
3. Высокоскоростное тестирование и измерение.