25 Гбит/с Φ38 мкм GaAs PIN PD чип

Этот высокоскоростной фотодиодный чип 25 Гбит/с представляет собой PIN-структуру GaAs с верхней подсветкой. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ38 мкм, анодная и катодная контактные площадки сверху для проводного соединения пакета TO-CAN, применение в передаче данных по оптоволоконному каналу, 25-гигабитном Ethernet и многомодовой связи и т. д.

Функции

1. Активная область Φ38мкм.
2. Низкая емкость и низкий темновой ток.
3. Высокая ответственность.
4. Скорость передачи данных до 25 Гбит/с.
5. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% испытания и проверки.

Приложения

1. 25Gigabit Ethernet/оптоволоконный канал.
2. Приемник AOC (активный оптический кабель) 25 Гбит/с на длине волны 850 нм.
3. Параллельные оптические соединения на базе VCSEL 25 Гбит/с.
4. 25 Гбит/с SFP+.
5. 4X25 Гбит/с QSFP.