25 Гбит/с Φ16 мкм APD-чип с верхней подсветкой

Этот чип лавинного фотодиода 25 Гбит/с (чип APD) представляет собой своего рода структуру электрода Ground-Signal (GS), с верхней освещенной активной областью размером Φ16 мкм. Этот продукт отличается высоким умножением, низкой емкостью, высокой пропускной способностью, низким температурным коэффициентом и превосходной надежностью, применяется в 25G EPON, 5G Wireless и 100GBASE-ER4.

Функции

1. Активная область Φ16мкм.
2. Высокое умножение.
3. Высокая скорость передачи данных: более 25 Гбит/с.
4. Низкая емкость.
5. Низкий температурный коэффициент.
6. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% испытания и проверки.

Приложения

1. 25 Гбит/с PON
2. 100GBASE-ER4 (ER4-lite)
3. Беспроводная связь 5G.