28 Гбит/с Φ35 мкм GaAs PIN PD чип

Этот высокоскоростной фотодиодный чип 25 Гбит/с представляет собой PIN-структуру GaAs с верхней подсветкой. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ35 мкм, сигнальные и заземляющие контактные площадки сверху для проводного соединения пакета TO-CAN, применение в оптической передаче данных на короткие расстояния 20-25 Гбит/с на длине волны 850 нм.

Функции

1. Активная область Φ35мкм.
2. Низкая емкость.
3. Низкий темновой ток.
4. Скорость передачи данных до 28 Гбит/с.
5. Сверху прокладка GS Bond.
6. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% испытания и проверки.

Приложения

1. 25Gigabit Ethernet/оптоволоконный канал.
2. Приемник AOC (активный оптический кабель) 25 Гбит/с на длине волны 850 нм.
3. Параллельные оптические соединения на базе VCSEL 25 Гбит/с.
4. 25 Гбит/с SFP+.