Этот фотодиодный чип 2 Гбит/с представляет собой планарную структуру InGaAs/InP PIN и цифровой фотодиодный чип с верхним освещением и низким темновым током, размер активной области составляет Φ70 мкм. Он отличается низким высокотемпературным темновым током, высокой чувствительностью и превосходной надежностью. Применение в оптических приемниках 2 Гбит/с и ниже и EPON ONU.
Функции
Приложения
© 2024 PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd