Этот фотодиодный чип 3,1 Гбит/с представляет собой планарную структуру InGaAs/InP PIN и цифровой фотодиодный чип с верхней подсветкой, размер активной области составляет Φ60 мкм. Он отличается низким темновым током, низкой емкостью, высокой чувствительностью и превосходной надежностью. Применение в оптических приемниках 3,1 Гбит/с и ниже и EPON ONU.
Функции
Приложения
© 2024 PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd