3 ГГц Φ70 мкм Высокочувствительный цифровой/аналоговый PIN PD чип

Этот 3 ГГц фотодиодный чип представляет собой InGaAs/InP PIN планарную структуру и 3 ГГц высокочувствительный цифровой/аналоговый PD чип с верхней подсветкой, размер активной области Φ70 мкм. Это особенности низкого темнового тока, низкой емкости, высокой чувствительности, тем самым получая более низкие интермодуляционные искажения второго порядка (IMD2) и композитные искажения тройных биений (CTB), а также превосходную надежность. Применение в 2,5 Гбит/с и ниже Оптический приемник, EPON ONU и CATV аналоговый оптический приемник.

Функции

1. Активная область Φ70мкм.
2. Высокая чувствительность и высокая линейность.
3. Низкий темновой ток.
4. Пропускная способность: ≥3 ГГц
5. Нижний уровень интермодуляционных искажений второго порядка (IMD2) и композитных искажений тройных биений (CTB)
6. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% испытания и проверки.

Приложения

1. FTTH, CATV и аналоговая система передачи.
2. Одно- или многомодовые оптоволоконные приемники для Gigabit Ethernet, Fibre Channel и SONET/SDH.
3. Инструментарий.