4X25Gbps Φ38μm 250μm шаг кристалла 1X4 массив GaAs PIN PD чип

Этот высокоскоростной фотодиодный чип 100 Гбит/с представляет собой PIN-структуру GaAs с верхней подсветкой. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ38 мкм, анодная и катодная контактная площадка сверху для проводного соединения пакета TO-CAN, применение в передаче данных по оптоволоконному каналу, 100-гигабитном Ethernet и многомодовой связи и т. д. Размеры продукта специально адаптированы для негерметичного корпуса.

Функции

1. Активная область Φ38мкм.
2. Низкая емкость, низкий темновой ток, высокая ответственность.
3. Конструкция контактной площадки GS.
4. Шаг кристалла: 250 мкм
5. 100% испытания и проверки.
6. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
7. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU).

Приложения

1. 100G SR4