4x28Gbps Φ35μm 250μm Die Pitch 1×4 Array GaAs PIN PD чип

Этот высокоскоростной фотодиодный чип 4X28Gbps NRZ/4X56Gbps PAM-4 представляет собой структуру PIN-матрицы 1×4 с верхней подсветкой GaAs. Особенностями являются высокая ответственность, низкая емкость и низкий темновой ток, размер активной области составляет Φ35 мкм, сигнальная и обе заземляющие контактные площадки расположены на верхней части чипа для легкого соединения проводов, применение в оптической связи данных ближнего действия 850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4.

Функции

1. Активная область Φ35мкм.
2. Низкий темновой ток.
3. Конструкция контактной площадки «земля-сигнал-земля».
4. Шаг кристалла: 250 мкм
5. 100% испытания и проверки.
6. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
7. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU).

Приложения

1. 200G SR4
2. Параллельная многомодовая волоконно-оптическая связь