4x56GBod 750μm Die Pitch 1×4 Array PIN PD чип

Этот фотодиодный чип 4X56GBaud Array 400Gbps, который является чипом с верхней подсветкой и мезаструктурой высокой скорости передачи данных цифрового PIN-фотодиода, размер активной области составляет Φ16μm. Его особенности - высокая, низкая емкость, низкий темновой ток и отличная надежность, применение от 1200 нм до 1600 нм с длиной волны одномодового волокна, со скоростью передачи данных до 50Gbps длинноволнового оптического приемника.

Функции

1. Структура контактной площадки GSG, массив 4X56 Гбод.
2. Шаг кристалла: 750 мкм.
3. Низкий темновой ток и высокая пропускная способность
4. 100% испытания и проверки.
5. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные в Telcordia-GR-468-CORE.
6. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU).

Приложения

1. 400G DR4/FR4/LR4