Копланарный электродный монитор Φ2000 мкм Чип PD

Этот чип PIN-фотодиода с верхней подсветкой InGaAs/InP с большой активной областью, которая представляет собой мезаструктуру, анодную и катодную контактные площадки спереди. Размер активной области составляет Φ2000 мкм, и высокая чувствительность в диапазоне длин волн от 910 нм до 1650 нм. Применение для контроля выходной оптической мощности с задней грани различных LD.

Функции

1. Мезаструктура на подложке SI. InP.
2. Активная область Φ2000мкм.
3. Высокая ответственность.
4. Низкий темновой ток.
5. Низкое рабочее напряжение смещения.
6. Анод и катод сверху, проволочное соединение спереди.
7. Рабочий диапазон температур от -40℃ до 85℃.
8. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
9. 100% испытания и проверки.
10. Доступны индивидуальные размеры чипа.

Приложения

1. Контроль мощности лазера на задней грани.