Φ200μm监控PD芯片

该顶照式InGaAs/InP监测PIN光电二极管芯片，具有大有效面积，平面结构，阳极在上，阴极在下。有效面积为Φ200μm，在980nm至1620nm的波长范围内具有高响应度。适用于监测各种LD背面输出的光功率。

特征

1. n+ InP 衬底上的平面结构，具有顶部阳极接触。
2. Φ200μm有效面积。
3. 高度责任感。
4. 低暗电流。
5. 低工作偏置电压。
6. 工作范围：-40℃至85℃。
7. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
8. 1001111111111 测试和检验。
9. 可定制芯片尺寸。

应用

1. 背面激光功率监控。