Φ500μm底部金属化监控PD芯片

Φ500μm底部金属化监控PD芯片

本产品为顶照式大有效面积InGaAs/InP监测PIN光电二极管芯片,为平面结构,阳极在上,阴极在下,有效面积为φ500μm,在1100nm~1700nm波段具有较高的响应度,适用于监测各类LD背面输出的光功率。产品特点

  • Φ500μm有效面积。
  • 高度责任感。
  • 高线性。
  • 低暗电流。
  • 低工作偏置电压。
  • 支持AnSn焊接工艺。
  • 工作范围:-40℃至85℃。
  • 卓越的可靠性:所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
  • 1001111111111 测试和检验。
  • 可定制芯片尺寸。
  • 符合RoHS2.0(2011/65/EU)。
  • 应用

  • 背面激光功率监控。