Φ10000μm监控PD芯片

顶照式InGaAs监测PIN光电二极管芯片，为平面结构，阳极在上，阴极在下，有效面积为φ10000μm，在900nm至1700nm波段具有高响应度，适用于监测各类LD背面输出光功率及其他监测设备。

特征

1. n+ InP 衬底上的平面结构，具有顶部阳极接触。
2. Φ10000μm有效面积。
3. 高度责任感。
4. 低暗电流。
5. 低工作偏置电压。
6. 工作范围：-40℃至85℃。
7. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
8. 1001111111111 测试和检验。
9. 可定制芯片尺寸。

应用

1. 背面激光功率监控。