φ300μm底照式监控PD芯片

该款InGaAs/InP监测PIN光电二极管芯片具有大有效面积，为平面结构，阳极和阴极在上，入射面在背面。底照式有效面积大小为Φ300μm，在980nm至1620nm波长范围内具有高响应度。主要应用于光功率监测。

特征

1. SI InP 基板上的平面结构。
2. 底照式：Φ300μm有效面积。
3. 高责任心、低暗电流。
4. 顶部有阳极和阴极，正面有引线键合。
5. 高 ESD 阈值：>500V。
6. 工作范围：-40℃至85℃。
7. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
8. 1001111111111 测试和检验。
9. 可定制芯片尺寸。

应用

1. 监测光功率