100μmX80μm侧光式监控PD芯片

该侧照式InGaAs/InP监测PIN光电二极管芯片具有大有效面积，为上阳极、双阴极平面结构，边缘可探测面积为100μmX80μm，在980nm至1620nm波段具有较高的响应度，适用于监测各类LD背面输出的光功率、FTTH数字光通信及光互连。

特征

1. 顶部有 NPN 焊盘。
2. 边缘可检测区域：100μmX80μm。
3. 高度责任感。
4. 低暗电流。
5. 低工作偏置电压。
6. 工作范围：-40℃至85℃。
7. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
8. 1001111111111 测试和检验。
9. 满足非密封封装。

应用

1. 背面激光功率监控。
2. FTTH数字光通信。
3. 光互连。