10Gbps Φ40μm顶照式APD芯片

该款10Gbps雪崩光电二极管芯片（APD芯片）为地-信号-地（GSG）电极结构，顶照式有源区尺寸为Φ40μm，该产品具有高倍数、低电容、高带宽、低温度系数、可靠性好等特点，应用于10G SONET/SDH和10G PON光接收机。

特征

1. Φ40μm有效面积。
2. 高倍数。
3. 高数据速率。
4. 低温度系数。
5. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
6. 1001111111111 测试和检验。

应用

1. 10G SONET/SDH
2. 10G PON