10Gbps Φ40μm顶照式APD芯片

该10Gbps APD光探测器芯片为GSG电极结构，为前端入光的高速雪崩光探测器芯片，其感光面积尺寸为40um，产品主要特点是高倍率、低电容、高带宽、低温度系数和高可靠性，主要应用于10G SONET/SDH和10G PON光接收机。

特征

1. Φ40μm有效面积。
2. 高倍数。
3. 低温度系数。
4. 1001111111111 测试和检验。
5. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
6. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 10G EPON
2. XGS 组合 PON