10Gbps Φ50μm顶照式APD芯片

该款10G雪崩光电二极管芯片（APD芯片）为P电极在上、N电极在下的结构，上照有源区尺寸为Φ50μm，该产品具有高倍数、低电容、高带宽、低温度系数、可靠性好等特点，应用于10G SONET/SDH、10G PON光接收机。

特征

1. Φ50μm有效面积。
2. 高倍数。
3. 低温度系数。
4. 1001111111111 测试和检验。
5. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
6. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 10G SONET/SDH
2. 10G PON