120μm侧光式监控PD芯片

XSJ-10-EMPD-120R 是一款边缘照明型 InGaAs/InP 监控 PIN 光电二极管芯片，为平面结构，顶部为阳极触点和阴极触点。光电二极管边缘可检测区域尺寸为 120μmX60μm，适用于数据中心和电信应用中使用的边缘发射激光器，并在 980nm 至 1620nm 的波长范围内提供出色的响应度。产品尺寸专为非密封封装而定制。

特征

1. 顶部有 PN 键合垫，适用于非密封封装。
2. 边缘可检测区域：120μmX60μm。
3. 高责任心、低暗电流。
4. 低工作偏置电压。
5. 工作范围：-40℃至85℃。
6. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
7. 1001111111111 测试和检验。
8. 可定制芯片尺寸。

应用

1. 背面激光功率监控。
2. FTTH数字光通信。
3. 光互连。