1×2 阵列 LiDAR 传感器芯片

该款InGaAs/InP 1X2阵列监测PIN光电二极管芯片具有大有效面积，为平面结构，阳极和阴极在上，入射面在背面。底照式有效面积大小为Φ100μm，在980nm至1620nm波长范围内具有高响应度。主要应用于监测光功率。

特征

1. SI InP 基板上的平面结构。
2. 底照式：Φ100μm有效面积。
3. 1X2阵列，芯片间距：500μm。
4. 高度责任感。
5. 低暗电流。
6. 顶部有阳极和阴极，正面有引线键合。
7. 工作范围：-40℃至85℃。
8. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
9. 1001111111111 测试和检验。
10. 可定制芯片尺寸。
11. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 监测光功率