1X4阵列平衡PD芯片

此款InGaAs/InP 1X8阵列监测PIN光电二极管芯片具有大有效面积，为平面结构，阳极和阴极在上，入射面在背面。底照式有效面积大小为Φ100μm，在900nm至1650nm波长范围内具有高响应度。主要应用于监测光功率。

特征

1. 底照式：Φ100μm有效面积。
2. 1X8阵列，芯片间距：300μm。
3. 高度责任感。
4. 低暗电流。
5. 阳极和阴极在顶部，共晶焊接。
6. 工作范围：-40°C 至 90°C。
7. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
8. 1001111111111 测试和检验。
9. 可定制芯片尺寸。
10. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 监控光功率。