25Gbps Φ16μm顶照式APD芯片

该款25Gbps雪崩光电二极管芯片（APD芯片）为地-信号（GS）电极结构，顶照式有源区尺寸为Φ16μm，该产品具有高倍数、低电容、高带宽、低温度系数、高可靠性等特点，应用于25G EPON、5G Wireless和100GBASE-ER4。

特征

1. Φ16μm有效面积。
2. 高倍数。
3. 高数据速率：25Gbps以上。
4. 低电容。
5. 低温度系数。
6. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
7. 1001111111111 测试和检验。

应用

1. 25Gbps 无源光网络
2. 100GBASE-ER4（ER4-lite）
3. 5G无线。