25Gbps Φ16μm顶照式APD芯片

25Gbps Φ16μm顶照式APD芯片

该款25Gbps APD光探测器芯片为GSG电极结构,为正入光型高速雪崩光探测器芯片,感光区尺寸为Φ16μm。产品主要特点是高倍数、低电容、低温度系数、高可靠性,主要面向25G PON、5G无线及100GBASE-ER4等应用。

特征

  1. Φ16μm有效面积。
  2. 高倍数。
  3. 低电容。
  4. 低温度系数。
  5. 1001111111111 测试和检验。
  6. 卓越的可靠性:所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
  7. 符合RoHS2.0(2011/65/EU)。

应用

  1. 25GSPON
  2. 50G PON
  3. 100G ER4
  4. 5G无线。