28Gbps Φ35μm GaAs PIN PD 芯片

该高数据速率25Gbps光电二极管芯片为GaAs顶照式PIN结构，特点是响应度高、电容小、暗电流小，有源区尺寸为Φ35μm，信号和接地焊盘位于顶部，用于TO-CAN封装引线键合，适用于850nm波长的20-25Gbps短距离光数据通信。

特征

1. Φ35μm有效面积。
2. 低电容。
3. 低暗电流。
4. 数据速率高达28Gbps。
5. 顶部有 GS 键合垫。
6. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
7. 1001111111111 测试和检验。

应用

1. 25千兆以太网/光纤通道。
2. 850nm 的 25Gbps AOC（有源光缆）接收器。
3. 基于25Gbps VCSEL的并行光互连。
4. 25Gbps SFP+。