本款3GHz光电二极管芯片为InGaAs/InP PIN平面结构、顶照式3GHz高响应度数/模拟PD芯片,有源区尺寸为Φ70μm,具有低暗电流、低电容、高响应度的特点,从而获得较低的二阶互调失真(IMD2)和复合三拍失真(CTB),可靠性好,应用于2.5Gbps及以下光接收机、EPON ONU及CATV模拟光接收机。
特征
应用