4x10Gbps Φ50μm 250μm 芯片间距 1×4 阵列 PIN PD 芯片

高速4X10Gbps光电探测器芯片为InGaAs/I InP PIN结构，前照式，具有响应速度快、电容小、暗电流小等特点。感光面积大小为50um，P、N焊盘设计在顶部，便于焊线封装。主要与4X10Gbps四通道TIA搭配使用，用于长距离、高速、单模4X10G bps光接收机及数据通信。

特征

1. Φ50μm有效面积。
2. 地-信号-地（GSG）键合焊盘结构，4X10Gbps阵列。
3. 低暗电流、低电容、高响应度。
4. 芯片间距：250μm
5. 1001111111111 测试和检验。
6. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
7. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 40Gbps QSFP+ LR4