4X200Gbps 500μm 芯片间距 1X4阵列底照式 PIN PD 芯片

此款4X112GBaud阵列800Gbps光电二极管芯片，为底照式台面结构高数据速率PIN光电二极管芯片，芯片底部集成有φ80μm透镜，具有高、低电容、低暗电流、可靠性好等特点，适用于910nm至1650nm单模光纤波长，数据速率高达200Gbps的长波长光接收器。

特征

1. 底部集成φ80μm透镜。
2. 地-信号-地（GSG）键合焊盘结构，4X112GBaud阵列。
3. 低暗电流、低电容、高响应度。
4. 数据速率：≥112GBaud/通道。
5. 芯片间距：500μm。
6. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
7. 1001111111111 测试和检验。
8. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 800G光模块
2. 1.6T光模块