4X25Gbps Φ38μm 250μm 芯片间距 1X4 阵列 GaAs PIN PD 芯片

该高数据速率100 Gbps光电二极管芯片为GaAs顶照式PIN结构。特点是响应性高、电容小、暗电流小，有源区尺寸为Φ38μm，阳极和阴极焊盘位于顶部，用于TO-CAN封装引线键合，应用于光纤通道数据传输、100Gigabit以太网和多模通信等。产品尺寸专门为非密封封装量身定制。

特征

1. Φ38μm有效面积。
2. 低电容、低暗电流、高响应度。
3. GS 焊盘设计。
4. 芯片间距：250μm
5. 1001111111111 测试和检验。
6. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
7. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 100G SR4