4X25Gbps Φ38μm 250μm 芯片间距 1X4 阵列 GaAs PIN PD 芯片

该高数据速率4X25Gbps光电二极管芯片为GaAs顶照式1×4阵列PIN结构。特点是高响应度、低电容和低暗电流，有源区尺寸为Φ38μm，信号和两个接地焊盘均设计在芯片顶部，便于引线键合，应用于850nm 25Gbps短距离数据通信，芯片尺寸满足每通道25Gbps模块或有源光缆（AOC）接收器的封装要求。

特征

1. Φ38μm有效面积。
2. 低电容。
3. 低暗电流。
4. 高度责任感。
5. 数据速率：每通道高达25Gbps以上。
6. 地-信号-地键合焊盘和键合焊盘区域外的钝化设计。
7. 芯片间距：250μm
8. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
9. 1001111111111 测试和检验。
10. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 数据通信收发器。
2. 850nm 的 25Gbps AOC（有源光缆）接收器。
3. 25Gbps SFP+。
4. 4X25Gbps QSFP。