4x28Gbps Φ35μm 250μm 芯片间距 1×4 阵列 GaAs PIN PD 芯片

该高数据速率4X28Gbps NRZ/4X56Gbps PAM-4光电二极管芯片为GaAs顶照式1×4阵列PIN结构。特点是高响应度、低电容和低暗电流，有源区尺寸为Φ35μm，信号和两个接地焊盘均设计在芯片顶部，便于引线键合，适用于850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4短距离数据光通信。

特征

1. Φ35μm有效面积。
2. 低暗电流。
3. 接地-信号-接地焊盘设计。
4. 芯片间距：250μm
5. 1001111111111 测试和检验。
6. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
7. 符合RoHS2.0（2011/65/EU）。

应用

1. 200G SR4
2. 并行多模光纤通信