8x56GBaud 500μm 芯片间距 1×8 阵列 PIN PD 芯片

8x56GBaud 500μm 芯片间距 1×8 阵列 PIN PD 芯片

8X56Gbaud(8X112Gbps PAM4)阵列光探测器芯片为顶部入光、台面结构的高速数字PIN光探测器芯片,感光区尺寸为Φ20μm。该产品具有高响应度、低电容、低暗电流、高可靠性等特点,应用于单模1200nm至1600nm波长的4X112Gbps PAM4数字通信链路。

特征

  1. GSG键合垫结构,8X56GBaud阵列。
  2. 芯片间距:500μm
  3. 低暗电流和高带宽。
  4. 1001111111111 测试和检验。
  5. 卓越的可靠性:所有芯片均通过Telcordia-GR-468-CORE规定的资格要求。
  6. 符合RoHS2.0(2011/65/EU)。

应用

  1. 800G DR8/FR8/LR8