该接近光学传感器为InGaAs/InP顶照式光电二极管芯片,平面结构,阳极在正面,阴极在背面,方形有效面积尺寸为570um*570um,具有高ESD、低暗电流等特性,在1300nm~1550nm波长范围内有较高的响应,在300nm~750nm波长范围内响应很小,解决了OLED屏光学接收的难题。
特征
应用