Φ2000μm共面电极监测PD芯片

该顶照式InGaAs/InP监测PIN光电二极管芯片，具有大有效面积，为台面结构，阳极焊盘和阴极焊盘在正面。有效面积为φ2000μm，在910nm至1650nm的波长范围内具有高响应度。适用于监测各种LD背面输出的光功率。

特征

1. SI.InP 衬底上的台面结构。
2. Φ2000μm有效面积。
3. 高度责任感。
4. 低暗电流。
5. 低工作偏置电压。
6. 顶部有阳极和阴极，正面有引线键合。
7. 工作范围：-40℃至85℃。
8. 卓越的可靠性：所有芯片均通过了Telcordia -GR-468-CORE规定的资格要求。
9. 1001111111111 测试和检验。
10. 可定制芯片尺寸。

应用

1. 背面激光功率监控。